EGL41BHE3/96
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41BHE3/96
| Artikelnummer: | EGL41BHE3/96 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41BHE3/96 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments EGL41BHE3/96.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 1 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse DO-213AB Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie SUPERECTIFIER® Rückwärts-Erholzeit (Trr) 50 ns Verpackung / Gehäuse DO-213AB, MELF (Glass) Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 100 V Strom - Richt (Io) 1A Kapazität @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer EGL41 EGL41BHE3/96 Einzelheiten PDF [English] EGL41BHE3/96 PDF - EN.pdf -
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